تعتزم شركة أبل تزويد الجيل المقبل من هاتفها الذكي آي فون بذاكرة عشوائية قدرها 2 غيغابايت، بحسب موقع "بيزنس إنسايدر" عن مصدر موثوق.

وكالعادة تزود أبل أجهزتها بذاكرة عشوائية بسعة 1 غيغابايت، وبعد تزويد "آي باد أير 2" العام الماضي بـ 2 غيغابايت ذاكرة عشوائية، فإنها قد تطلق الجيل المقبل من "آي فون" بنفس القدرة من الذاكرة.

وسيسمح القدر الإضافي من الذاكرة العشوائية لنظام "آي أو إس" بتشغيل مهام في الخلفية، وإبقاء التبويبات في متصفح سفاري مفتوحة لمدة أطول دون الحاجة إلى تحميلها مجدداً أو تحديثها. لكن بالمقابل، سيؤثر ذلك على عمر البطارية.

كما ذكرت الموقع أن أبل تعتزم تزويد هاتفي "آي فون 6 إس" و "آي فون 6 إس بلس" بتقنية "أبل سيم"، التي ظهرت أيضاً أول مرة مع "آي باد أير 2".

وتسمح"أبل سيم" للمستهلكين بالتسجيل في خطط البيانات المحمولة من عدد من شركات الاتصالات المشتركة من تطبيق الإعدادات مباشرة دون الحاجة إلى عقود طويلة الأجل أو لتبديل المزود في كل مرة.